芯片中的晶体管是个什么鬼？晶体管（transistor）是一种固体半导体器件，具有检波、整流、放大、开关、稳压、信号调制等多种功能。晶体管作为一种可变电流开关，能够基于输入电压控制输出电流。与普通机械开关（如Relay、switch）不同，晶体管利用电讯号来控制自身的开合，而且开关速度可以非常快，实验室中的切换速度可100GHz以上
芯片中的晶体管是个什么鬼？
晶体管（transistor）是一种固体半导体器件，具有检波、整流、放大、开关、稳压、信号调制等多种功能。晶体管作为一种可变电流开关，能够基于输入电压控制输出电流。与普通机械开关（如Relay、switch）不同，晶体管利用电讯号来控制自身的开合，而且开关速度可以非常快，实验室中的切换速度可100GHz以上。指内含集成电路的硅片，体积很小，常常是计算机或其他电子设备[繁：備]的一部[读：bù]分。
广义上，只要是使用微细加工手段制造出来的半导体片子，都可以叫做{练：zuò}芯片，里面并不一定有电路。比如半导体光源芯片；比如机械芯片，如MEMS陀螺仪；或者生物芯片如DNA芯片。在通讯与信息技术中，当把范围局限到硅集成电路时，芯片和集成电路的交集就是在“硅晶片上的电路”上。芯片组，则是【读：shì】一系列相互关联的芯片组合，它们相互依赖，组合在一起能发挥更大的作用，比如计算机里面的处理器和南北桥芯片组，手机里面的射频、基带和电源管理芯片组。
以下这篇文章和你一起学习，《芯片里面的几千万的晶（jīng）体管是【pinyin：shì】怎么装【pinyin：zhuāng】进去的？》，来自网摘。
要想造个芯片， 首先， 你得画出来一个(繁：個)长这样的玩意儿给Foundry #28外包的晶【pinyin：jīng】圆制造公司#29
#28此[读：cǐ]处担《繁体：擔》心有版[读：bǎn]权问题… 毕竟我也是拿别人钱干活的苦逼phd… 就不放全电路图了… 大家看看就好， 望理解！）
再放大dà ...
我们（繁体：們）终于看到一个门电diàn 路啦#21 这(zhè)是一个NAND Gate#28与非门#29， 大概是这样:
A， B澳门永利 是输入(拼音：rù)， Y是输出.
其中蓝色的{练：de}是金{练：jīn}属1层， 绿色是金属2层， 紫色是金属3层， 粉色是金属4层...
那晶体管#28更正zhèng ， 题主的#30"晶体管#30" 自199X年以后已经主要是 MOSFET， 即场效应管了 #29 呢（拼音：ne）?
仔【读：zǐ】细【繁：細】看图， 看到里面那些白色的点吗? 那是衬底， 还有一些绿（繁：綠）色的边框? 那些是Active Layer #28也即掺杂层.#29
然后Foundry是怎么me 做的呢? 大体上分为以下几步:
首先搞到一块[拼音：kuài]圆圆的硅晶(拼音：jīng)圆， #28就是一大块晶体硅， 打磨的很《练：hěn》光滑， 一般是圆的#29
图片按照生产步骤排列. 但是步骤总结单独写出.
1、湿洗#28用各种试剂保持硅晶圆表面没有杂(zá)质#29
2、光刻 #28用紫外线透过蒙版照射硅晶圆， 被照到的地方就会容易被洗掉， 没[繁体：沒]被照到的地[练：dì]方就保持原样. 于是就可以在硅晶圆上面刻出想要的图案. 注意， 此时还没有加入杂质， 依然是一个硅晶圆. #29
3、 离子注入#28在硅晶圆不同的位置加入不(读：bù)同的杂质， 不同杂质根据浓度/位置的不同就组成了场效应[繁：應]管.#29
4.1、干蚀刻 #28之前用光刻出来的形状有许多其实{练：shí}不是我们需要【拼音：yào】的，而是为了离子注入而蚀刻的. 现在就要用等离子体把他们洗掉， 或者是一些第一步光刻先不需要刻出来的结构， 这一步进行蚀刻#29.
4.2、湿蚀刻#28进一步洗掉， 但是用的是试剂， 所以叫湿蚀刻#29.--- 以上步骤完成后， 场效应管就已经被做出来啦~ 但是（拼音：shì）以上步骤一般都不止做一次， 很可能需要反【拼音：fǎn】反复(繁体：覆)复的做， 以达到要求. ---
5、等离子冲洗#28用较弱的等离子【练：zi】束轰击整个芯片#29
6、澳门金沙热处理， 其中又分（拼音：fēn）为:
6.1、快(拼音：kuài)速热退火 #28就是瞬间把整个片子通过大功率灯啥的照到1200摄氏度以上， 然后（繁：後）慢慢《练：màn》地冷却下来， 为了使得注入的离子能更好的被启动以及热氧化#29
6.2、退tuì 火
6.3、热氧化[拼音：huà] #28制造出二氧化硅， 也即场效应管的栅极#28gate#29 #29
7、化学气相淀积[繁：積]#28CVD#29， 进一步精细处理表面的各种物质
8、物理气相(xiāng)淀积 #28PVD#29，类似， 而且可以给敏感部件加coating
9、分子束外延 #28MBE#29 如果需要【读：yào】长单晶的话就需要这个..
10、电镀处（繁体：處）理
11、化学/机械 表面处理然后芯片就差不多了， 接下来还要(读：yào):
12、晶圆测《繁：測》试
13、晶圆打磨就可以出厂封装了{练：le}.我们来一步步看:
就可以{开云体育拼音：yǐ}出厂封装了.我们来一步步看:
1、上面是氧化层[拼音：céng]， 下面是衬底#28硅#29 -- 湿洗
2、一般澳门威尼斯人来说， 先对整个衬底注入少量#2810^10 ~ 10^13 / cm^3#29 的P型物质#28最外层(céng)少一个电子#29， 作为衬底 -- 离子注入
3、先加jiā 入Photo-resist， 保护住不想被蚀刻的地方 -- 光刻
4、上掩（练：yǎn）膜#21 #28就是那个标注Cr的地方. 中间空的表示没[繁：沒]有遮盖（繁体：蓋）， 黑的表示遮住了.#29 -- 光刻
5、紫外线照【拼音：zhào】上去... 下面被照得那一块就被反应了 -- 光刻
6、撤去掩膜. -- 光[练：guāng]刻
7、把暴露出来的氧化层洗掉， 露出硅层#28就可以注入离子（练：zi）了#29 -- 光刻
8、把保护层撤去. 这样就jiù 得到了一个准备注(繁：註)入[读：rù]的硅片. 这一步会反复在硅片上进行#28几十次甚至上百次#29. -- 光刻
9、然后光刻完毕后， 往里面(繁体：麪)狠狠地插入一块少[拼音：shǎo]量#2810^14 ~ 10^16 /cm^3#29 注入的N型物质就做成了一个N-well #28N-井#29 -- 离子注入
10、用干蚀刻把需要P-well的地方也蚀[繁体：蝕]刻出来. 也yě 可以再次使用光刻刻出来. -- 干蚀刻
11、上图将P世界杯-型半导体上部再次氧化出一层薄薄的二《练：èr》氧化硅. -- 热处理
12、用分子束外延{读：yán}处理长出的一层多晶硅， 该层可导电 -- 分子束外延
13、进一步的蚀刻， 做出精细的（拼音：de）结构. #28在退《练：tuì》火以及部分CVD#29 -- 重复3-8光刻 湿蚀刻13 进一步的蚀刻， 做出精细的结构. #28在退火以及部分CVD#29 -- 重复3-8光刻 湿蚀刻
14、再次狠狠地{pinyin：dì}插入大量#2810^18 ~ 10^20 / cm^3#29 注入的【读：de】P/N型物质， 此时注意MOSFET已经基本(běn)成型. -- 离子注入
15、用气相积淀 形成的氮化物层 -- 化{pinyin：huà}学气相积淀
16、将氮化物蚀刻出沟道{pinyin：dào} -- 光刻 湿蚀刻
17、物理气相积淀长出 金属层 -- 物理气相积[繁体：積]淀
18、将多余金属层蚀刻. 光刻 湿蚀刻重复 17-18 长出每个金《jīn》属层哦对了... 最开[繁：開]始那个芯片， 大（pinyin：dà）小大约是1.5mm x 0.8mm
啊~~ 找到一本关于光刻的书， 更新一yī 下， 之前的回答有谬误..
书名【pinyin：míng】:
本文链接：http://10.21taiyang.com/Biological-SciencesScience/13952712.html
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