三维渗流的英文翻译中国的de 光刻机技术和荷兰的光刻机技术，关键点的区别到底在哪？

中国的光刻机技术和荷兰的光刻机技术，关键点的区别到底在哪？中国的光刻技术和荷兰ASML的EUV光刻技术，关键点的区别在于采用紫外光源的不同和光源能量控制。一、中国光刻技术采用193nm深紫外光源，荷兰ASML的EUV采用13.5nm极紫外光源

中国的光刻机技术和荷兰的光刻机技术，关键点的区别到底在哪？

中国的光刻技术和荷兰ASML的EUV光刻技术，关键点的区别在于采用紫外光源的不同和光源能量控制。

一、中国光刻技术采用193nm深紫外光源，澳门新葡京荷兰ASML的EUV采用13.5nm极【jí】紫外光源。

光刻是制程芯片最关澳门巴黎人键技术，制程芯片过程几乎离不开光刻技术。但光刻技术的核心是光源，光源《拼音：yuán》的波长决定了光刻技术的工艺能力。

我国光刻技术采用193nm波长(繁：長)的深紫外光源，即将准分子深紫外光源的de 波长缩小到ArF的193nm。它可实[繁：實]现最高工艺节点是65nm，如采用浸入式技术可将光源缩小至134nm。为提高分辨率采取NA相移掩模技术还可推进到28nm。

到了28nm以后、由于单次曝光的图形间距无法进一步提升，所《拼音：suǒ》以广泛使用多次曝光和刻蚀的方法来求得更致密的《读：de》电子线路图形。

荷兰ASML的EUV光刻技术，采用是美国研发提供的13.5nm极紫外光源为工作波长的投影光刻技术。是用《拼音：yòng》准分子激光照射在锡等靶材上激发出13.5nm光子作为光刻技术的(读：de)光源。

极紫外光源是shì 澳门新葡京传统光刻技术向更短波长的合理延伸，被行业赋予了拯救摩尔定律的使命。

当今的ASML的EUV光刻技术，巳能用13.5nm极紫外光制程7nm甚至5nm以下芯片。而我国(繁体：國)还是采[繁体：採]用193nm深紫外源光刻技术，如上海微电子28nm工艺即{jí}是如此。

虽然我们采用DUV光刻技术通过多重曝光[pinyin：guāng]和刻蚀方法提升制程工艺，但成本巨大、良率较低、难以商业化量产。所以光源的不同导致[繁体：緻]光刻技术的重大区别。

二（pinyin：èr）、在光刻技术的光源能量精准控制上，我国光刻技术与荷兰的EUV也有重大区(繁体：區)别。

光刻技术的光学系统极其复《繁：覆》杂，要减小{读：xiǎo}误差达到高精度要yào 求，光源的计量和控制非常重要。它可通过透镜曝光的补偿参数决定光刻的分辨率和套刻精度。

光刻技术的de 分辨率代表能清晰投影最小图像的能力，和光源波长有着密切关係。在光guāng 源波长不变情况下，NA数值孔径大小直接决定光刻技术的分辨率和工艺节点。

我国在精密加工透镜技术上无法与ASML采用的德国蔡司镜头相比，所以光刻技术分辨率难以大幅提高。

套刻精度是光刻技术非常重要的技术指标，是指前后两道工序、不同镜头之间彼此图形对duì 准精度。如果对准偏差、图形世界杯就产生误差，产品良率就小。

所以需不断调整透镜曝pù 光补偿参数和光源计量进行[pinyin：xíng]控制，达到满意的光刻效果{读：guǒ}。我国除缺少精密加工透镜的技术外，在光源控制、透镜曝光参数调整上也是缺乏相关技术的。

我国在5G时代、大数据和人工智能都要用到高端芯片，离开云体育不开顶尖的光刻技术，这是必须要攀登的“高峰”。相【练：xiāng】信我国刻苦研发后能掌握先进的光刻技术和设备，制程生产自己所需的各种高端芯片。