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2025-02-25 03:50:27Health-Conditions

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上海科技大学与一般985、211大学比,哪个好?

#原创#

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上科大(练:dà)先天优势明显

首先由中国科学院与上海市政府携手举办《繁体:辦》的大学。

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传上海微电子研发出11nm光刻机,请问是真的吗?有谁知道?

据报道称:上海微电子将在2021年交付采用ARF光源制程工艺为28纳米的光刻机,并且次光刻机在经过多次曝光之后,可以制造出11纳米制程的芯片。目前来看,这个消息应该是真的。也就是说,国内在2021年,就有自己制造的生产28纳米制程芯片的光刻机了。虽说,还不能与阿斯麦公司的极紫外EUV光刻机相比,但是足以推进我国工业芯片和军用芯片的性能向前迈一大步了。

按光源来分的话,光刻【拼音:kè】机已经发展了五代。第一代是采用波长为436纳米的g-line光源的光刻机,其制程工艺节点为800纳米-250纳米;第二代采用波长为365纳米的i-line光源的光刻机,其制程工艺节点也是800纳米-250纳米;第三代采用波长为248纳{繁:納}米的KRF光源的光刻机,其制程工艺节点为180纳米-130纳米;第四代也就是波长为139纳米的Arf光源的光刻机,其制程工艺节点为130纳米-65纳米,45纳米-22纳米;第五代也就是波长为13.5纳米的EUV光源的极紫外光刻机,其制程节点为22纳米-7纳米。

而上海微电子将在2021年交付的也就是第四《sì》代光刻机,制程工艺节点为28纳米。其实上海微电子与2007年制造了制程工艺节点为90纳米的光刻机,迄今过【练:guò】去了13年。经过14年的发展,再次拿出第四代光刻机也是很正常的。虽说,我国现在无法制造出二氧化碳EUV光源,但是在固体深紫外光源的研发上是处于国际领先地位的,最明显的例(pinyin:lì)子就是KBBF晶体。

另外(wài)光刻机比较重要的镜头,国内也是可以自制的。长春光机所于2016年研发出了波像差优于0.75 nm RMS 的两镜EUV 光刻物镜系统。清华大学也在2014年研发出掩模台/硅片台同步扫描指标实测达到2.2nm,4.7nm。所以说,光刻机最重要掩膜台和工作台,镜头组,光源都可kě 以由国[繁体:國]内单位自己制造出来,那么上海微电子研制出制程工艺为28纳米的光刻机也没有什么(繁体:麼)可怀疑的。只是在明年交付之后,芯片的良品率并不会一下子就上去,还要过段时间才可以提升上去

另外,上海微电子即将交付的光刻机,在经过多次曝光之后,制程工艺还可以提高到11纳米。这样一来,对那些芯片并不急需,但要求制程工艺{繁:藝}的公司来说,也是一个好消息。毕竟国(繁:國)内有了这种光刻机,就不必在受到国外的制裁了。对于EUV光源,我《wǒ》国(繁体:國)还需要加大研发力度,争取早日取得突破。只要光源突破之后,那剩下的就没有什么太大的难题了

由此【拼音:cǐ】可知,上海微电子交付28纳米制程工艺的光刻机有较大意义。

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