芯片中的晶体管是个什么鬼？晶体管（transistor）是一种固体半导体器件，具有检波、整流、放大、开关、稳压、信号调制等多种功能。晶体管作为一种可变电流开关，能够基于输入电压控制输出电流。与普通机械开关（如Relay、switch）不同，晶体管利用电讯号来控制自身的开合，而且开关速度可以非常快，实验室中的切换速度可100GHz以上
芯片中的晶体管是个什么鬼？
晶体管（transistor）是一种固体半导体器件，具有检波、整流、放大、开关、稳压、信号调制等多种功能。晶体管作为一种可变电流开关，能够基于输入电压控制输出电流。与普通机械开关（如Relay、switch）不同，晶体管利用电讯号来控制自身的开合，而且开关速度可以非常快，实验室中的切换速度可100GHz以上。指内含hán 集成电路的硅片，体【练：tǐ】积很小，常常【拼音：cháng】是计算机或其他电子设备的一部分。
广义上，只要是使用微细加工手(shǒu)段制造出来的半导体片子，都可以叫做芯片，里面并不一定有电路。比如半导体光源芯片；比如机械芯片{piàn}，如MEMS陀螺仪；或者生物芯片如DNA芯片。在通讯与信息技术中，当把范围局限到硅集成电路时，芯片和集成电路的交集就是在“硅晶片上的电路”上。芯片组，则是一系列相互关联的芯片组合，它们相互依赖，组合在一起能发挥更大的作用，比如《练：rú》计算机里面的处理器和南北桥芯片组，手机里面的射频、基带和电源管理芯片组。
以下这（繁：這）篇文章和你一起学习，《芯片里面(繁体：麪)的几千万的晶体管是怎么装进去的？》，来自网摘。
要[yào]想{pinyin：xiǎng}造个芯片， 首先， 你得画出来一个长这样的{拼音：de}玩意儿给Foundry #28外包的晶圆制造公司#29
#28此处担心（pinyin：xīn）有版权问题… 毕竟我也是拿别人钱干活的苦逼{拼音：bī}phd… 就不放全电路图了… 大家看看就好， 望理解！）
再放[pinyin：fàng]大...
我们终于看到一个门电路[lù]啦#21 这是一个NAND Gate#28与非门#29， 大概是（pinyin：shì）这样:
A， B 是输入， Y是【pinyin：shì】输出.
其中蓝《繁：藍》色的是金属1层， 绿色是金属2层， 紫色是(shì)金属3层{pinyin：céng}， 粉色是金属4层...
那晶体管#28更正， 题主的#30"晶体（读：tǐ）管#30" 自199X年以后已（练：yǐ）经主要是 MOSFET， 即场效应管了 #29 呢?
仔细[繁体：細]看图， 看到里面那些白色的点吗? 那是衬底， 还有一些绿色的边框? 那些是Active Layer #28也即掺杂层[céng].#29
然后Foundry是shì 怎么做的呢? 大体上分为以下几步:
首先搞到一开云体育块圆圆的硅晶圆， #28就【拼音：jiù】是一大块晶体硅， 打磨的很光滑， 一般是圆的#29
图片按照生产步骤排列. 但是步骤总结单独写【练：xiě】出.
1、湿洗#28用各{pinyin：gè}种试剂保持硅晶圆表面没有杂质#29
2、光刻 #28用紫外线透过蒙版照射硅晶圆， 被照到的地方就会容(pinyin：róng)易{拼音：yì}被洗掉， 没被照到的地方就保持原样. 于是就可以在硅晶圆上面刻出想要的图案. 注意， 此时还没有加入杂质， 依然是一个硅晶圆. #29
3、 离子注入#28在（pinyin：zài）硅晶【拼音：jīng】圆不同的位置加入不同的杂质， 不同杂质根据浓度/位置的不同就组成了场效应管.#29
4.1、干蚀刻 #28之前用光刻出来的形状有许多其实不是我们需要的，而是【练：shì】为了离子注入而蚀刻的. 现在就要用等离子体把他们洗掉， 或者是一(yī)些第一步光刻先不需要刻出来的结构， 这一步进行蚀刻#29.
4.2、湿蚀刻#28进一步洗掉， 但（拼音：dàn）是用的是试剂， 所以叫湿蚀刻#29.--- 以上步骤完成后， 场效应管就亚博体育已经被做出来啦~ 但是以上步骤一般都不止做一次， 很可能需要反反复复的做， 以达到要求. ---
5、等离子冲洗#28用较弱的等离子（pinyin：zi）束轰击整个芯片#29
6、热处理， 其[qí]中又分为:
6.1、快速热退火 #28就是瞬间把整个片子通过大功率灯啥的照到【拼音：dào】1200摄氏度以上， 然后慢慢地（pinyin：dì）冷却下来， 为了使得注《繁体：註》入的离子能更好的被启动以及热氧化#29
6.2、退火
6.3、热氧化(pinyin：huà) #28制造出二氧化硅， 也即场效应管的栅极#28gate#29 #29
7、化学气相淀积#28CVD#29， 进一步精细处理表面的各种物质
8、物理气相淀积 #28PVD#29，类似， 而且可以给《繁体：給》敏感部件加coating
9、分子束外延 #28MBE#29 如果需（练：xū）要长单晶的话就需要这个..
10、电镀[繁：鍍]处理
11、化学/机械 表面处理然后芯片就差不{读：bù}多了， 接下来还要:
12、晶圆(yuán)测试
13澳门威尼斯人、晶圆【练：yuán】打磨就可以出厂封装了.我们来一步步看:
就可以出厂封装了《繁：瞭》.我们来一步步看:
1、上面是氧(yǎng)化层， 下面是衬底#28硅#29 -- 湿洗
2、一般来说， 先对整个衬底[dǐ]注入少量#2810^10 ~ 10^13 / cm^3#29 的P型物质#28最【pinyin：zuì】外层少一个电子#29， 作为衬底 -- 离子注入
3、先加{拼音：jiā}入Photo-resist， 保护住不想被蚀刻的地方 -- 光刻
4、上掩膜#21 #28就是那个标注[繁：註]Cr的地方. 中间空的表示没有遮盖， 黑的表示遮住了[繁体：瞭].#29 -- 光刻
5、紫外线照上去... 下面被照得（练：dé）那一块就被反应了 -- 光刻
6、撤去掩膜. -- 光【拼音：guāng】刻
7、把暴{读：bào}露出来的氧化层洗掉， 露出硅层#28就可以注入离子了#29 -- 光刻
8、把保【读：bǎo】护层撤去. 这样就得到了一个准备注入的硅片. 这一步会开云体育反复在硅片上进行#28几十次甚至上百次#29. -- 光刻
9、然后光刻完毕后， 往里面狠狠地插入一块少量#2810^14 ~ 10^16 /cm^3#29 注入的N型物质就做成了一个N-well #28N-井#29 -- 离子注(繁体：註)入（pinyin：rù）
10澳门银河、用干蚀刻把需要P-well的地方也蚀刻出来. 也可以再次（cì）使用光刻刻出来. -- 干蚀刻
11、上图将P-型半导体上部再次氧化出一层薄薄的二氧化硅. -- 热处（繁体：處）理
12、用分子束外延处理长[繁：長]出的一层多晶硅， 该层可导电 -- 分子束外延
13、进一步的蚀刻(kè)， 做出精细的结构. #28在退火以及部分CVD#29 -- 重复3-8光刻 湿蚀刻13 进一步的蚀刻《pinyin：kè》， 做出精细的结构. #28在退火以及部分CVD#29 -- 重复3-8光刻 湿蚀刻
14、再次狠狠地插【pinyin：chā】入大量#2810^18 ~ 10^20 / cm^3#29 注入的P/N型物质， 此时注意MOSFET已经《繁体：經》基本成（读：chéng）型. -- 离子注入
15、用气相(读：xiāng)积淀 形成的氮化物层 -- 化学气相积淀
16、将氮化物蚀刻出沟道 -- 光刻 湿蚀刻[读：kè]
17、物理气相积淀长出 金属层【练：céng】 -- 物理气相积淀
18、将多余金属层蚀刻. 光刻 湿蚀刻重复 17-18 长出每个[繁体：個]金属层哦对了... 最（拼音：zuì）开始那个芯片， 大小大约是1.5mm x 0.8mm
啊~~ 找到一本关于光刻的书， 更新一下， 之前的（de）回答有谬误..
书名míng :
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